[发明专利]一种具有低k介质绝热材料的相变存储器结构及制备方法

摘要

本发明公开了一种具有低k介质绝热材料的相变存储器结构及制备方法，其相变存储单元包括：二极管、加热电极、可逆相变电阻、顶电极等；在加热电极和可逆相变电阻周围包裹有低k介质绝热层；在可逆相变电阻与其周围的低k介质绝热层之间设有防扩散介质层。本发明利用低k介质材料作为绝热材料，避免了相变存储单元之间的热串扰及操作时的相互影响，提高了器件可靠性，消除了非晶向多晶转变时温度、压力等对PCRAM数据保持力的影响。此外，在低k介质材料与相变材料之间制备了一层防扩散介质层，可防止相变材料中的元素向低k介质材料的扩散。其制造工艺与CMOS标准工艺兼容，抛光采用了低压力与低腐蚀的CMP工艺。

主权项

一种具有低k介质绝热材料的相变存储器结构，包括衬底以及位于所述衬底之上的由多个相变存储单元组成的相变存储单元阵列，其特征在于，每个所述相变存储单元包括：一个二极管；位于所述二极管之上的加热电极；位于所述加热电极之上的可逆相变电阻；位于所述可逆相变电阻之上的顶电极；在所述加热电极和可逆相变电阻周围包裹有低k介质绝热层；在所述可逆相变电阻与其周围的低k介质绝热层之间设有防扩散介质层。