[发明专利]用于形成薄膜锂离子电池的方法有效
| 申请号： | 201010296037.5 | 申请日： | 2010-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN102035029A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 皮埃尔·布隆 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(图尔)公司 |
| 主分类号： | H01M10/058 | 分类号： | H01M10/058;H01M4/139;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 李中奎;钟锦舜 |
| 地址： | 法国图尔皮*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于形成锂离子型电池的方法，包括以下连续步骤：在衬底中形成沟道；相继且保形地沉积包括阴极集电极层、阴极层、电解质层、以及阳极层的层叠，该层叠具有的厚度小于所述沟道的深度；在所述结构上形成填充所述沟道中剩余的空间的阳极集电极层；以及平坦化所述结构，以露出所述阴极集电极层的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 薄膜 锂离子电池 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成锂离子型电池的方法，包括以下连续步骤：(a)在衬底(10)中形成沟道(12)；(b)相继且保形地沉积层叠(14)，该层叠包括阴极集电极层(16)、阴极层(18)、电解质层(20)以及阳极层(22)，该层叠具有的厚度小于所述沟道的深度；(c)在所述结构上形成填充所述沟道(12)中剩余的空间的阳极集电极层(26)；以及(d)平坦化所述结构，以露出所述阴极集电极层(16)的上表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体(图尔)公司，未经意法半导体(图尔)公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010296037.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
