[发明专利]一种基于氮化镓材料的单异质结声电荷输运延迟线无效
| 申请号： | 201010296040.7 | 申请日： | 2010-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102142452A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 高怀;张晓东;王晓彧;陈涛;薛川 | 申请（专利权）人： | 苏州英诺迅科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/20 | 分类号： | H01L27/20;H01L41/08;H03H9/42 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于氮化镓材料的单异质结声电荷输运延迟线，包括基片，其特征在于：所述基片上设有氮化镓半绝缘型衬底，所述氮化镓半绝缘型衬底上设有氮化镓铝势垒层，所述氮化镓半绝缘型衬底两端有可以构成声表面波叉指换能器的金属图案，所述氮化镓铝势垒层两端有电极。氮化镓具有优异的压电性能，可以扩大氮化镓ACT的应用范围。蓝宝石上氮化镓材料具有较大的声表面波速度，有利于高频应用。AlGaN/GaN异质结界面处的大能带带阶和强极化电荷可以产生高面密度二维电子气。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氮化 材料 单异质结声 电荷 输运 延迟线 | ||
【主权项】：
一种基于氮化镓材料的单异质结声电荷输运延迟线，包括基片，其特征在于：所述基片上设有氮化镓半绝缘型衬底，所述氮化镓半绝缘型衬底上设有氮化镓铝势垒层，所述氮化镓半绝缘型衬底两端有可以构成声表面波叉指换能器的金属图案，所述氮化镓铝势垒层两端有电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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