[发明专利]一种晶体硅太阳能电池双扩散工艺

摘要

本发明涉及太阳能电池扩散技术领域，具体涉及一种晶体硅太阳能电池双扩散工艺。本发明采用两次扩散步骤，可得到类似双结的N+-N-P的结构，可以提高开路电压0.03-0.08V，可以提高电池片效率2%-5%。

主权项

一种晶体硅太阳能电池双扩散工艺，其特征在于，包括以下步骤：第一步扩散：硅片放入石英管，（1）在温度820℃‑840℃条件下通入5‑8slm N2和1.0‑1.5slm O2，时间2‑3min，形成15‑30nm的SiO2的氧化层；（2）升温到845℃‑860℃，通入N2 8‑10slm、N2‑POCl3 0.8‑1.0slm、O2 0.8‑1.2slm的混合气体进行沉积，时间3.0‑8.0min；（3）升温到900‑1000℃，通入8‑13slm的N2进行推进，时间20‑70 min；第二步扩散：（1）降温到840℃‑870℃，通入N2 8‑10slm、N2‑POCl3 0.8‑1.0slm、O2 0.8‑1.2slm的混合气体进行沉积，时间10‑15min；（2）升温到870℃‑950℃，通入8‑13slm的N2进行推进，时间2‑6min。