[发明专利]切割分离发光二极管晶片形成发光二极管芯片的方法无效
| 申请号： | 201010297409.6 | 申请日： | 2010-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102437254A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 沈佳辉;洪梓健 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种切割分离发光二极管晶片形成单一发光二极管芯片的方法，其包括以下步骤：提供一发光二极管晶片；通过在发光二极管晶片上形成若干由第二半导体层延伸至第一半导体层的第一槽道；在每一第一槽道内形成由第一半导体层延伸至基底的第二槽道；通过激光切割所述第二槽道底部处形成切口；沿所述切口将发光二极管晶片裂开形成单一发光二极管芯片。本发明所述的切割分离方法，通过在第一槽道内进一步形成由第一半导体层延伸至基底的第二槽道，避免直接通过激光打在第一槽道内进行切割而导致在第一半导体层处产生焦化的情况，从而通过激光切割时产生焦化影响相对较小，进而提高分离后形成的发光二极管芯片的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 分离 发光二极管 晶片 形成 芯片 方法 | ||
【主权项】：
一种切割分离发光二极管晶片形成发光二极管芯片的方法，其包括以下步骤：提供一发光二极管晶片，该发光二极管晶片至少包括基底、形成于基底上的第一半导体层、形成于第一半导体层上的发光层及形成于发光层上的第二半导体层；形成若干由第二半导体层延伸至第一半导体层的第一槽道；在每一第一槽道内再形成由第一半导体层延伸至基底的第二槽道；通过激光切割所述第二槽道底部处形成切口；沿所述切口将发光二极管晶片裂开形成多个发光二极管芯片。
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