[发明专利]半导体发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010299240.8 | 申请日： | 2010-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102437261A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 谢明勋;陈威佑;张利铭;王健源;姚久琳 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体发光元件及其制造方法。此半导体发光元件包含一半导体发光结构及一薄化基板，且此半导体发光结构包含多层半导体层及多个第一通道，其中多个第一通道具有一特定深度穿透至少二层的多层半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件，包含：薄化基板，具有第一表面及第二表面；以及半导体发光结构位于该薄化基板第一表面之上，该半导体发光结构包含多层半导体层及多个第一通道，其中该些多个第一通道具有一特定深度穿透至少两层该些多层半导体层。
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