[发明专利]存储器件的制造方法

摘要

本发明提供了一种存储器件的制造方法，包括步骤：形成覆盖浮栅、层间介电层以及衬底的控制栅层；形成掩膜层，所述掩膜层包括平行的条状结构和连接于相邻条状结构之间的块状结构，每条所述条状结构沿浮栅的列方向覆盖至少一列浮栅，所述块状结构覆盖所述相邻列的浮栅之间的浅沟槽隔离结构，在所述掩膜层掩蔽下对控制栅层进行刻蚀，形成由被所述掩膜层的条状结构覆盖的条状控制栅和被掩膜层的块状结构覆盖的块状控制栅；去除所述掩膜层，在控制栅上形成字线层；刻蚀所述字线层和所述块状控制栅，从而提高了存储器件的可靠性。

主权项

一种存储器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体结构，其包括衬底、位于衬底上的阵列排布的浮栅，所述浮栅上具有层间介电层，在相邻列的浮栅之间的衬底中具有浅沟槽隔离结构；形成覆盖浮栅、层间介电层以及衬底的控制栅层；形成掩膜层，所述掩膜层包括平行的条状结构和连接于相邻条状结构之间的块状结构，每条所述条状结构沿浮栅的列方向覆盖至少一列浮栅，所述块状结构覆盖所述相邻列的浮栅之间的浅沟槽隔离结构，在所述掩膜层掩蔽下对控制栅层进行刻蚀，形成由被所述掩膜层的条状结构覆盖的条状控制栅和被掩膜层的块状结构覆盖的块状控制栅；去除所述掩膜层，在控制栅上形成字线层；刻蚀所述字线层和所述块状控制栅，形成位于所述条状控制栅两侧的字线和分别与两侧的条状控制栅相连的控制栅延伸结构，所述分别与两侧的条状控制栅相连的控制栅延伸结构之间具有暴露所述相邻列的浮栅之间的浅沟槽隔离结构的开口。