[发明专利]低温快速热处理的温度监控方法有效
| 申请号： | 201010299350.4 | 申请日： | 2010-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN102418149A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 何永根;禹国宾;吴兵;林静 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;H01L21/66;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种低温快速热处理的温度监控方法，包括：提供P型掺杂的半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有非晶区；对所述半导体衬底进行离子激活处理；对所述半导体衬底进行低温快速热处理；检测所述半导体衬底表面的衬底参数；基于衬底参数与反应温度的对应关系，确定所述低温快速热处理的实际反应温度。本发明基于半导体衬底中掺杂离子的失活效应来监测低温快速热处理的反应温度，提高了在低温快速热处理温度范围内所述监测的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 快速 热处理 温度 监控 方法 | ||
【主权项】：
一种低温快速热处理的温度监控方法，其特征在于，包括：提供P型掺杂的半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有非晶区；对所述半导体衬底进行离子激活处理；对所述半导体衬底进行低温快速热处理；检测所述半导体衬底表面的衬底参数；基于衬底参数与反应温度的对应关系，确定所述低温快速热处理的实际反应温度。
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