[发明专利]一种静电放电保护电路无效
| 申请号： | 201010299648.5 | 申请日： | 2010-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102437559A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 叶文正;王华 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/02 | 分类号： | H02H9/02 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种静电放电ESD保护电路，包括：连接端，连接芯片内部电路；PMOS管，其漏极通过多个接触孔连接连接端，其衬底、源极和栅极分别连接供电电压VDD端；NMOS管，其漏极通过多个接触孔连接连接端，其衬底、源极和栅极分别连接公共接地电压VSS端；其中，PMOS管和NMOS管与连接端连接的漏极中，至少一个漏极上的多个接触孔的排列形状是具有分散漏极与衬底之间电流强度的排列形状，其中分散后流过每个接触孔的电流的电流强度不大于该接触孔能够承受的最大电流强度。采用本发明方案，能够抵抗较大的静电电流放电，提高ESD保护电路的抗静电放电能力，降低静电放电损伤的几率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 静电 放电 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种静电放电ESD保护电路，其特征在于，该电路包括：连接端，连接芯片内部电路；PMOS管，其漏极通过多个接触孔连接连接端，其衬底、源极和栅极都连接供电电压VDD端；NMOS管，其漏极通过多个接触孔连接连接端，其衬底、源极和栅极都连接公共接地电压VSS端；其中，PMOS管和NMOS管与连接端连接的漏极中，至少一个漏极上的多个接触孔的排列形状是具有分散漏极与衬底之间电流强度的排列形状，其中分散后流过每个接触孔的电流的电流强度不大于该接触孔能够承受的最大电流强度。
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