[发明专利]检查装置和检查方法无效
申请号: | 201010299975.0 | 申请日: | 2010-09-30 |
公开(公告)号: | CN102033076A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 藤原馨;齐藤美佐子 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | G01N23/225 | 分类号: | G01N23/225;H01L21/66 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种检查装置和检查方法。能够对形成有包含绝缘部和导电部的电路图案的基板高精度地进行应作为导电部的部位变成绝缘部的缺陷的检查。在真空容器(21)内的载置台(22)上载置其表层部形成有包含绝缘部和导电部的电路图案的基板(晶片W)。然后,对上述晶片(W)照射电荷密度为6.7×10-3C/nm2以下的电子束,检测通过上述电子束的照射而放出的二次电子。使电子束的照射位置与载置台相对移动,在晶片(W)的整个检查对象区域中取得将放出的二次电子的检测结果与晶片(W)上的电子束的照射位置相关联的数据,根据该数据检查应作为导电部的部位变成绝缘部的缺陷的有无。 | ||
搜索关键词: | 检查 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种检查装置,用于检查在其表层部形成有包含绝缘部和导电部的电路图案的基板,其特征在于,包括:真空容器,在其内部设置有载置所述基板的载置台;对所述真空容器内进行真空排气的真空排气单元;用于对所述载置台上的基板照射电荷密度为6.7×10‑3C/nm2以下的电子束的电子束照射单元;为了对所述基板的整个检查对象区域进行电子束扫描,而使电子束的照射位置与载置台相对移动的移动单元;用于检测通过所述电子束的照射而从基板放出的二次电子的电子检测单元;取得将所述电子检测单元的检测结果与基板上的电子束的照射位置相关联的数据的取得单元;以及用于根据所述数据对应作为导电部的部位是否已变成绝缘部之缺陷进行检查的检查单元。
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