[发明专利]一种AlN热隔离平板双面微结构的半导体式气体传感器及其制造方法

摘要

一种AlN热隔离平板双面微结构的半导体式气体传感器及其制造方法，涉及一种自热隔离平板双面微结构气体传感器及其制造方法。解决了现有的Si材料的气体传感器存在工艺开发成本高、工艺复杂等问题。基片对角线的四个方位上刻蚀有热隔离槽，基片背面设置有加热电极和信号电极，通过通孔基片正面与背面的加热电极相连通，加热电极为蛇形排列结构，敏感膜附在信号电极上，制造方法如下：一选择基片；二传感器Pt金属薄膜信号电极制备：首先光刻，其次镀膜，最后金属膜剥离；三异面加热电极制备：首先镀膜，然后激光刻蚀；四热隔离；五退火；六附敏感膜。本发明可以作为半导体式Cl2、NOX、CO等气体传感器。

主权项

AlN热隔离平板双面微结构的半导体式气体传感器，其特征在于它包括AlN陶瓷基片(1)、两个加热电极(2)、正面加热器(2-1)、背面加热器(2-2)、两个信号电极(3)、两个信号采集片(3-1)、敏感膜(4)和热隔离槽(5)，在所述AlN陶瓷基片(1)对角线的四个方位上刻蚀有热隔离槽(5)，热隔离槽(5)使得在AlN陶瓷基片(1)正面和背面各形成四个孤岛凸起(5-1)，沿热隔离槽(5)四个方位的边缘刻蚀有四个通孔(1-1)，AlN陶瓷基片(1)正面设置有加热电极(2)、正面加热器(2-1)、信号电极(3)和信号采集片(3-1)，加热电极(2)贯穿在AlN陶瓷基片(1)一侧的两个通孔(1-1)中，信号电极(3)贯穿在另外两个通孔(1-1)中，正面加热器(2-1)为中间带有缺口的蛇形排列结构，两个信号采集片(3-1)插入正面加热器(2-1)的蛇形排列结构中间的缺口，信号采集片(3-1)的引脚设置在热隔离槽(5)中，并且与信号电极(3)相连通，正面加热器(2-1)的两个引脚设置在热隔离槽(5)中，并且与加热电极(2)相连通，在信号采集片(3-1)插入加热电极(2)的蛇形排列结构的部分附有敏感膜(4)，AlN陶瓷基片(1)背面的背面加热器(2-2)为蛇形排列结构，并且设置在AlN陶瓷基片(1)背面的中间位置，背面加热器(22)的两个引脚设置在热隔离槽(5)中，并且与加热电极(2)相连通。