[发明专利]一种真空气氛下制备高阻区熔硅单晶的加热线圈装置

摘要

本发明公开了一种真空气氛下制备直径40mm以上的高阻区熔硅单晶的加热线圈及其配套装置，其中，一种多匝线圈装置用于真空提纯，另外一种单匝线圈装置用于真空成晶，两种装置配合使用；多匝线圈装置包括上短路环、多匝加热线圈、下短路环，单匝线圈装置包括单匝平板式加热线圈；本专利针对真空环境及大直径两个技术难点，为两个线圈设计了特别的尺寸规格及外形，并增加了有效的辅助配套部件，结果显示，使用该线圈及其配套装置，可以在真空气氛下对较大直径原料进行连续提纯，并将提纯后原料拉制成大直径高阻硅单晶，其质量达到探测器级标准。

主权项

一种真空气氛下制备高阻区熔硅单晶的加热线圈装置，其特征在于：包括配合使用的多晶硅真空区熔提纯加热线圈装置和硅单晶真空成晶加热线圈装置；所述多晶硅真空提纯加热线圈装置从上到下依次包括上短路环、多匝加热线圈、下短路环；其中，上短路环、多匝加热线圈、下短路环相互平行且都垂直于走晶方向，三者按照从上到下的顺序固连在电极筒上，并且上、下短路环的直径比多匝加热线圈的外径略大；所述硅单晶真空成晶加热线圈装置包括一个固连在电极筒上的单匝平板式加热线圈；其中，单匝平板式加热线圈上表面有向线圈内部凹陷的台阶，线圈的厚度由外径处向内径处逐渐减小，线圈下表面有5-20°的倾角，线圈外径的侧圆周表面沿周向均布有铅垂方向的刻线槽，线圈的内径处有贯通上下表面的十字开口。