[发明专利]高纯铝真空提纯装置有效

专利信息
申请号: 201010300272.5 申请日: 2010-01-14
公开(公告)号: CN101748281A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 张佼;董锦芳;陈慧;东青;孙宝德;王俊;疏达;戴永兵;李飞;高海燕;何博 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: C22B9/04 分类号: C22B9/04;C22B21/06
代理公司: 上海交达专利事务所 31201 代理人: 王锡麟;王桂忠
地址: 200240 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种铸造冶金技术领域的高纯铝真空提纯装置,包括:炉壳、熔化装置、凝固装置、绝热装置、电磁搅拌装置、下引机构和固定支架,其中:电磁磁搅拌装置、熔化装置和绝热装置依次由外而内固定设置于固定支架上,绝热装置包围在坩埚的外围,凝固装置位于熔化装置的下方并与熔化装置同轴固定设置,下引机构位于炉壳的底部并与凝固装置的下端相连,固定支架固定设置于炉壳内。本发明的晶体的最大生长速度可达27cm/h,4N纯铝经一次提纯,85%投入料的平均纯度可以达到5N以上,平均晶粒尺寸在150μm以下。
搜索关键词: 高纯 真空 提纯 装置
【主权项】:
一种高纯铝真空提纯装置,包括:炉壳、熔化装置、凝固装置、绝热装置、电磁搅拌装置、下引机构和固定支架,其特征在于:电磁磁搅拌装置、熔化装置和绝热装置依次由外而内固定设置于固定支架上,绝热装置包围在坩埚的外围,凝固装置位于熔化装置的下方并与熔化装置同轴固定设置,下引机构位于炉壳的底部并与凝固装置的下端相连,固定支架固定设置于炉壳内。
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