[发明专利]一种以微针阵列制造超疏水表面的方法无效
申请号: | 201010300413.3 | 申请日: | 2010-01-18 |
公开(公告)号: | CN101830428A | 公开(公告)日: | 2010-09-15 |
发明(设计)人: | 吴承伟;史立涛;周平;蒋成刚;马国军 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
代理公司: | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人: | 梅洪玉 |
地址: | 116085 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明公开了一种以微针阵列制造超疏水表面的方法,属于超疏水表面制备领域。将一定截面的微针组装成阵列,得到一级或一级以上粗糙的阵列表面;在上述的阵列表面,根据不同的微针材料选择相应的刻蚀溶液,采用刻蚀的方法获得次级粗糙结构;在具有次级粗糙的微针阵列表面,用氟硅烷溶液进行低表面能处理,取出后经过恒温烘干即得到具有二级或多级粗糙结构的阵列超疏水表面。本发明克服现有技术的不足,使用者只需进行简单的微针的组装就可以得到一个具有粗糙结构的阵列表面,再辅以阵列表面的刻蚀和低表面能处理就能得到分级粗糙结构的阵列超疏水表面,大大提高制造效率,节省设计制造成本和时间耗费,提高了表面抗外力破坏能力。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 制造 疏水 表面 方法 | ||
【主权项】:
一种以微针阵列制造超疏水表面的方法,其特征包括以下步骤:步骤1:微针阵列的组装:将截面为10mm~500mm微米的微针组装成阵列,得到一级粗糙或一级以上粗糙的阵列表面;步骤2:次级微结构的刻蚀构造:在步骤1得到的一级粗糙或一级以上粗糙的阵列表面上,根据不同的微针类部件材料选择相应的刻蚀溶液,采用刻蚀的方法获得次级粗糙结构;步骤3:低表面能处理:在步骤2得到的粗糙针尖阵列表面上,用氟硅烷溶液进行低表面能处理,取出后经过恒温烘干即得到具有多级粗糙结构的阵列超疏水表面;氟硅烷溶液所用溶剂为甲醇、乙醇或者正己烷。
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