[发明专利]自动水平式硅基薄膜生产装置有效
申请号: | 201010300663.7 | 申请日: | 2010-01-25 |
公开(公告)号: | CN101748379A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 解欣业;王伟;史国华;刘先平;邓晶 | 申请(专利权)人: | 威海中玻光电有限公司 |
主分类号: | C23C16/24 | 分类号: | C23C16/24;C23C16/54 |
代理公司: | 威海科星专利事务所 37202 | 代理人: | 于涛 |
地址: | 264200 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明涉及太阳能的应用领域,具体地说是一种自动水平式硅基薄膜生产装置,其特征在于由加热段、真空过渡段1、沉积段、真空过渡段2、冷却段组成,自动闸板阀装于各工作室之间,加热段和冷却段为非真空段,沉积段由数个沉积模块构成,每个沉积模块均由沉积室、真空过渡室、传动装置、位置测量装置、真空获得装置、配气装置和排气装置组成,两个沉积室对称或不对称地分布在真空过渡室的两侧,每一个沉积室分别与一台工艺干泵相连,沉积室和真空过渡室共用一套真空获得装置,沉积模块两端均设有尺寸和形状完全相同或相互配合的连接装置,通过连接装置将数个平行排列的沉积模块连接起来形成一个连续镀膜的沉积段,本装置可以根据镀膜工艺和产能设计的不同要求增减沉积模块的数量,其适用范围广,生产效率高,维护维修方便。 | ||
搜索关键词: | 自动 水平 式硅基 薄膜 生产 装置 | ||
【主权项】:
一种自动水平式硅基薄膜生产装置,其特征在于由加热段、真空过渡段1、沉积段、真空过渡段2、冷却段组成,自动闸板阀装于各工作室之间,加热段和冷却段为非真空段。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的