[发明专利]薄膜晶体管组成及其相关方法

摘要

本发明描述了一种用于在基板上形成至少一个晶体管的方法。所述基板包含聚酰亚胺和纳米级填料。聚酰亚胺基本上或全部得自刚棒型单体，并且纳米级填料具有至少3∶1的纵横比。本公开的基板尤其很好地适于薄膜晶体管应用，这至少部分地归因于其高的耐吸湿膨胀性能以及较高水平的热稳定性和尺寸稳定性。

主权项

用于在基板上形成至少一个晶体管的方法，所述方法包括：将至少一层半导体材料沉积在所述基板上，其中所述基板包括：a)所述层的40至95重量％的量的聚酰亚胺，所述聚酰亚胺衍生自：i)至少一种芳族二酐，所述芳族二酐的至少85摩尔％为刚棒型二酐，和ii)至少一种芳族二胺，所述芳族二胺的至少85摩尔％为刚棒型二胺；以及b)填料，所述填料：a)在至少一个尺寸上小于800纳米；b)具有大于3∶1的纵横比；c)在所有尺寸上小于所述膜的厚度；和d)以所述膜总重量的5至60重量％的量存在，所述支撑件具有8至150微米的厚度，其中钝化层在所述半导体材料沉积到基板上之前沉积到所述基板上。