[发明专利]矩形硅膜二维风速风向传感器有效
| 申请号： | 201010501541.4 | 申请日： | 2010-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101975870A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | 李伟华 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01P5/12 | 分类号： | G01P5/12;G01P13/02;B81B3/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210096*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出的矩形硅膜二维风速风向传感器采用矩形的半导体硅薄膜(104)作为传感面，传感器的最下层是半导体硅衬底(101)，在硅衬底(101)上设置一排发热电阻(102)，在具有发热电阻(102)的硅衬底(101)之上设置二氧化硅绝缘层(103)，在二氧化硅绝缘层(103)之上设置半导体硅薄膜(104)，金属电极(105)有16个，分别位于矩形的半导体硅薄膜(104)的一边均匀分布；利用热分布变化引起半导体薄膜电阻率分布变化的原理测量风速和风向。 | ||
| 搜索关键词： | 矩形 二维 风速 风向 传感器 | ||
【主权项】：
一种矩形硅膜二维风速风向传感器，其特征在于采用矩形的半导体硅薄膜(104)作为传感面，传感器的最下层是半导体硅衬底(101)，在硅衬底(101)上设置一排发热电阻(102)，在具有发热电阻(102)的硅衬底(101)之上设置二氧化硅绝缘层(103)，在二氧化硅绝缘层(103)之上设置半导体硅薄膜(104)，金属电极(105)位于矩形的半导体硅薄膜(104)的一边均匀分布；利用热分布变化引起半导体薄膜电阻率分布变化的原理测量风速和风向。
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