[发明专利]化合物半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201010501758.5 | 申请日： | 2010-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102034859A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 金村雅仁;吉川俊英 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 吴小瑛 |
| 地址： | 日本国神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及具有由氮化物半导体的化合物半导体组成的通道层和电子供体层的化合物半导体装置及其制造方法。在通道层和电子供体层之间形成由i-AlN组成的中间过渡层，当使用中间过渡层作为蚀刻阻挡件时，在电子供体层稍后将形成栅极的位置处形成第一开口，通过使用热磷酸溶液的湿法蚀刻，在中间过渡层形成第二开口，以便与第一开口位置对齐，并形成栅极，使得栅极的下部填充第一开口和第二开口，同时栅极绝缘膜置于第一开口、第二开口与栅极之间，并使得栅极的头部伸出盖结构之上。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体装置，包括：通道层，其包含III‑V族氮化物半导体；在所述通道层上形成的AlN层，其具有允许在其中露出所述通道层的第一开口；在所述AlN层上形成的电子供体层，所述电子供体层具有允许通过所述第一开口在其中露出所述通道层的第二开口，并包含III‑V族氮化物半导体；和在所述通道层上形成的栅极，以填充所述第一开口和所述第二开口。
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