[发明专利]气敏半导体装置有效
| 申请号： | 201010501828.7 | 申请日： | 2010-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102033095A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | D·孔兹;M·威登迈耶;A·马丁 | 申请（专利权）人： | 罗伯特.博世有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 胡莉莉;李家麟 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种气敏半导体装置，其具有由第一沟道电极(12)和第二沟道电极(14)形成边界的半导电的沟道(10)和与所述沟道相关的栅电极(16)，所述栅电极(16)与所述沟道共同作用来使得作为对气体的作用的响应而出现沟道(10)的电导率改变，其中所述栅电极(16)和/或使所述栅电极与所述沟道绝缘的栅极绝缘层(20)和/或可设置在所述栅电极与所述沟道之间的栅极堆叠层(18)具有两个面区段(22，24)，所述两个面区段(22，24)在其对于不同气体的敏感性方面不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种气敏半导体装置，其具有由第一沟道电极(12)和第二沟道电极(14)形成边界的半导电的沟道(10)以及与沟道相关的栅电极(16)，所述栅电极(16)与沟道共同作用来使得作为对气体的作用的响应而出现沟道(10)的电导率变化，其特征在于，栅电极(16)和/或使栅电极与沟道绝缘的栅极绝缘层(20)和/或能够被设置在栅电极与沟道之间的栅极堆叠层(18)具有两个面区段(22，24)，所述两个面区段(22，24)在对于气体的敏感性方面不同。
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