[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201010501836.1 | 申请日： | 2010-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102034871A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 赖理学;郭紫微;叶致锴;万幸仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，该鳍式场效应晶体管在一基底的上方具有一鳍式沟道本体。一栅极置于上述鳍式沟道本体的上方。至少一源/漏极区邻接于上述鳍式沟道本体。上述至少一源/漏极区实质上未包含任何鳍式结构。本发明可使存储单元的尺寸缩减。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管，包含：一鳍式沟道本体，位于一基底的上方；一栅极，置于该鳍式沟道本体的上方；以及至少一源/漏极区，邻接于该鳍式沟道本体，上述至少一源/漏极区实质上未包含任何鳍式结构。
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