[发明专利]电流源MOSFET驱动芯片无效

专利信息
申请号: 201010502449.X 申请日: 2010-09-30
公开(公告)号: CN101976939A 公开(公告)日: 2011-02-16
发明(设计)人: 刘雁飞;葛芦生 申请(专利权)人: 安徽工业大学
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08
代理公司: 马鞍山市金桥专利代理有限公司 34111 代理人: 周宗如
地址: 243002 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明提供一种电流源MOSFET驱动芯片,属于电力电子芯片技术领域,该芯片用于提供同步整流电路中高端和低端MOSFET的PWM驱动信号。该芯片包括电平转换单元、逻辑时序单元、高端驱动单元、低端驱动单元,通过高端驱动单元及低端驱动单元中不同元器件按照特定的连接方式,将输入的PWM信号转变为所需的PWM驱动信号,以此控制同步整流电路中高端和低端MOSFET的开通关断。本发明的优点在于:高频下,芯片的高端驱动单元与外围器件连接构成高端驱动电路,高端驱动电路中的电感电流对同步整流电路中高端MOSFET进行充电时,因此减小了MOSFET源极引线寄生电感的影响,使得MOSFET相对更快地开通,继而减少了MOSFET的开通关断损耗;主电路MOSFET关断时释放的能量被电感回收,从而节约能损。
搜索关键词: 电流 mosfet 驱动 芯片
【主权项】:
一种电流源MOSFET驱动芯片,其特征在于该驱动芯片包括电平转换单元、逻辑时序单元、高端驱动单元、低端驱动单元;所述高端驱动单元与低端驱动单元由芯片电源输入引脚VDD供电;所述电平转换单元与所述驱动芯片的五个PWM信号输入引脚CT1‑CT5连接,接收PWM输入信号;所述电平转换单元将PWM信号电平转换后为高端驱动单元提供五路PWM信号;所述逻辑时序单元与所述驱动芯片的第六个信号输入引脚CT6相连,接收PWM输入信号,经过所述逻辑时序单元的逻辑转换后为所述低端驱动单元提供PWM信号;所述电平转换单元和所述逻辑时序单元共同接入信号接地引脚SGND;所述高端驱动单元包含两个P沟道MOSFET、三个N沟道MOSFET和四个串联的二极管,所述高端驱动单元与电平转换单元、芯片的高端驱动信号输出引脚HSG、PH都有连接,高端驱动单元接收电平转换单元提供的五路PWM信号,并与外围器件连接完成后,通过五路PWM输出信号控制高端驱动单元中五个MOSFET的开通关断,并由芯片的两个高端驱动信号输出引脚HSG、PH提供所需的PWM输出信号,控制同步整流电路中高端MOSFET的开通关断;所述低端驱动单元包一个P沟道MOSFET、一个N沟道MOSFET、一个PNP型三极管和一个NPN型三极管,所述低端驱动单元与逻辑时序单元、芯片的低端驱动信号输出引脚LSG都有连接,所述低端驱动单元接收逻辑时序单元提供的PWM信号,通过此信号控制低端驱动单元中不同MOSFET、三极管的开通关断,得到所需的PWM驱动信号,并由芯片的低端驱动信号输出引脚LSG提供所需的PWM输出信号,控制同步整流电路中低端MOSFET的开通关断。
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