[发明专利]高电子迁移率晶体管、外延衬底、及制作高电子迁移率晶体管的方法无效
| 申请号： | 201010502711.0 | 申请日： | 2010-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102034862A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 上野昌纪;京野孝史;盐谷阳平;住友隆道;善积祐介 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/04;H01L29/36;H01L21/335;H01L29/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供实现常闭状态特性的高电子迁移率晶体管。沟道层(25)设置于第一势垒层(27)上，并且与第一势垒层(27)形成第一异质结(33)。另外，沟道层(25)内包含压缩应变，沟道层(25)的压电电场(PZC2)是从支撑基体(13)朝向第一势垒层(27)的方向。第一异质结(33)沿与相对于III族氮化物区域(23)的c轴方向以40度以上且85度以下及140度以上且不足180度的角度范围的倾斜角α倾斜的基准轴向量垂直的平面延伸时，可以使紧挨着栅电极(19)下方的沟道层(25)的压电电场(PZC2)的大小与c面上的晶体管的压电电场的大小相比更小，残留有限大小的压电电场的同时实现常闭状态特性。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 外延 衬底 制作 方法 | ||
【主权项】：
一种高电子迁移率晶体管，其中，具备：包含III族氮化物区域的自立支撑基体、设置于所述III族氮化物半导体区域上的第一III族氮化物势垒层、设置于所述第一III族氮化物势垒层上、且与所述第一III族氮化物势垒层形成第一异质结的III族氮化物沟道层、设置于所述III族氮化物沟道层上以向所述第一异质结施加电场的栅电极、设置于所述III族氮化物沟道层及所述第一III族氮化物势垒层上的源电极、和设置于所述III族氮化物沟道层及所述第一III族氮化物势垒层上的漏电极，所述III族氮化物沟道层内包含压缩应变，所述III族氮化物沟道层的压电电场取向于从所述支撑基体朝向所述第一III族氮化物势垒层的方向，所述第一异质结沿具有相对于所述III族氮化物区域的c轴以40度以上且85度以下及140度以上且不足180度的角度范围的倾斜角倾斜的法线轴的平面延伸。
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