[发明专利]光电转换装置和使用光电转换装置的成像系统有效
| 申请号： | 201010502907.X | 申请日： | 2010-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102044551A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 熊野秀臣 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李颖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及光电转换装置和使用光电转换装置的成像系统。一种光电转换装置包括：用于输出根据光的信号的有效像素区域，以及用于输出基准信号的光学黑像素区域，其中，在光学黑像素区域中，在绝缘膜中布置插塞，并且，在插塞上方布置遮光膜并使该遮光膜与插塞连接，以使得插塞的上表面和绝缘膜的上表面形成同一个面，并且其中，在遮光膜上方或下方，布置厚度为5～15nm的钛膜。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 装置 使用 成像 系统 | ||
【主权项】：
一种光电转换装置，包括：有效像素区域，所述有效像素区域用于输出根据光的信号；和光学黑像素区域，所述光学黑像素区域用于输出基准信号，其中，在所述光学黑像素区域中，在绝缘膜中布置插塞，并且，在插塞上方布置遮光膜并使遮光膜与插塞连接，以使得插塞的上表面和绝缘膜的上表面形成同一个面，并且其中，在遮光膜上方或下方，布置厚度为5～15nm的钛膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
