[发明专利]一种制备低放射性辐射赤泥陶瓷材料的方法无效
| 申请号： | 201010503084.2 | 申请日： | 2010-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN102060513A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 覃烁;吴伯麟;彭仙 | 申请（专利权）人： | 桂林理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/00 | 分类号： | C04B35/00;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004 广西壮族*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备低放射性辐射赤泥陶瓷材料的方法。(1)原料的质量百分比为：赤泥28～70％，红砂岩28～70％，钡的化合物或毒重石1～20％，助熔剂1～10％；助熔剂为氟化钙、氧化铝、氧化镁、氧化钙和二氧化硅中的一种或多种；(2)将步骤(1)原料放入球磨装置中球磨混料12～48小时；(3)将步骤(2)所得料在60℃～120℃温度下烘干6～24小时；(4)将步骤(3)所得料采用压制成型或可塑成型，制得坯体；(5)将步骤(4)所得坯体在900℃～1300℃烧结1～5小时，冷却到室温制得成品。本发明原料来源广泛，成本极低，可降低赤泥放射性辐射剂量30～45％，达到天然放射性本底水平。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 放射性 辐射 陶瓷材料 方法 | ||
【主权项】：
一种制备低放射性辐射赤泥陶瓷材料的方法，其特征在于具体步骤为：(1)原料的质量百分比为：赤泥28～70％，红砂岩28～70％，钡的化合物或毒重石1～20％，助熔剂1～10％；助熔剂为氟化钙、氧化铝、氧化镁、氧化钙和二氧化硅中的一种或多种。(2)将步骤(1)原料放入球磨装置中球磨混料12～48小时；(3)将步骤(2)所得料在60℃～120℃温度下烘干6～24小时；(4)将步骤(3)所得料采用压制成型或可塑成型，制得坯体；(5)将步骤(4)所得坯体在900℃～1300℃烧结1～5小时，冷却到室温制得赤泥陶瓷材料；所述赤泥为拜耳法赤泥、烧结法赤泥和联合法赤泥中的一种；所述钡的化合物为钡的质量百分含量大于50％的钡的化合物。
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