[发明专利]一种室温下制备金红石型TiO2薄膜的方法无效
| 申请号： | 201010503481.X | 申请日： | 2010-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101994094A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 邵红红;于春杭;许晓静 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C22F1/18;A61L33/02 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 212013 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种室温下制备金红石型TiO2薄膜的方法，涉及表面工程技术和生物材料领域，本发明通过预先对钛金属微观结构“纳米化”处理，采用直流反应磁控溅射沉积技术，室温下在超细晶/纳米晶体钛表面获得单一金红石型TiO2薄膜。钛基材微结构“纳米化”后显著提高TiO2薄膜与基材之间的界面结合力，很好地解决了具有优异抗凝血性的TiO2薄膜与钛金属血管支架间结合状况不良的技术难题，大大提高了界面的承载能力。本发明很好地解决了钛金属表面室温下单一金红石型TiO2薄膜的制备难题，并且工艺简单，在血管支架、心脏瓣膜等领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 室温 制备 金红石 tio sub 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种室温下制备金红石型TiO2薄膜的方法，其特征在于：以经过等通道转角剪切和低温多步大应变压缩技术处理过的钛金属作为基体，在室温下通过磁控溅射制备金红石型TiO2薄膜。
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