[发明专利]晶片封装体及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201010503607.3 申请日: 2010-09-30
公开(公告)号: CN102034796A 公开(公告)日: 2011-04-27
发明(设计)人: 蔡佳伦;刘沧宇;郑家明 申请(专利权)人: 精材科技股份有限公司
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552;H01L21/60
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种晶片封装体及其制造方法,该晶片封装体包括基板及残余切割区,基板具有一接垫区和一元件区,残余切割区位于基板周围;信号导电垫结构及EMI接地导电垫结构,设置于接垫区上;第一及第二开口,深入基板中以暴露出信号导电垫结构及EMI接地导电垫结构;第一及第二导电层,分别位于第一及第二开口内并分别电性接触信号导电垫结构及EMI接地导电垫结构;其中,第一导电层及信号导电垫结构与残余切割区的边缘相距一间隙,且第二导电层及/或EMI接地导电垫结构的一部分延伸至残余切割区的边缘;及第三导电层,其围绕残余切割区的周围,以与第二导电层及/或EMI接地导电垫结构电性连接。本发明能够较好地实现对电磁干扰的屏蔽。
搜索关键词: 晶片 封装 及其 制造 方法
【主权项】:
一种晶片封装体,其特征在于,包括:一半导体基板及一残余切割区,该半导体基板具有至少一接垫区和至少一元件区,该残余切割区位于该半导体基板周围;一信号导电垫结构及一EMI接地导电垫结构,设置于该接垫区上;一第一开口及一第二开口,深入该半导体基板中以暴露出该信号导电垫结构及该EMI接地导电垫结构;一第一导电层及一第二导电层,分别位于该第一开口及该第二开口内并分别电性接触该信号导电垫结构及该EMI接地导电垫结构;其中,该第一导电层及该信号导电垫结构与该残余切割区的边缘相距一间隙,且该第二导电层及/或该EMI接地导电垫结构的一部分延伸至该残余切割区的边缘;及一第三导电层,其围绕该残余切割区的周围,以与该第二导电层及/或该EMI接地导电垫结构电性连接。
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