[发明专利]重新形成光刻胶图形的方法有效
| 申请号： | 201010503721.6 | 申请日： | 2010-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102445838A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 尹晓明;孙武;韩宝东;符雅丽 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王一斌;王琦 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种重新形成光刻胶图形的方法，该方法包括：通过光刻胶层重做工序去除已形成的光刻胶图形；通过沉积工序在硬掩膜层上形成一个具有粗糙表面的沉积层；通过刻蚀工序去除所述沉积层，实现对硬掩膜层表面的粗糙化；通过光刻胶层重新涂覆工序在粗糙化后的硬掩膜层上重新涂覆光刻胶层；对光刻胶层依次执行曝光、显影、清洗工序，重新形成新的光刻胶图形。通过使用上述的方法，可有效地消除图形剥离现象，提高所形成的半导体元器件的电学性能，并大大降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 重新 形成 光刻 图形 方法 | ||
【主权项】：
一种重新形成光刻胶图形的方法，其特征在于，该方法包括：通过光刻胶层重做工序去除已形成的光刻胶图形；在蚀刻机台中通过沉积工序在硬掩膜层上形成一个沉积层；通过刻蚀工序去除所述沉积层，实现对所述硬掩膜层表面的粗糙化；通过光刻胶层重新涂覆工序在粗糙化后的硬掩膜层上重新涂覆光刻胶层；对所述光刻胶层依次执行曝光、显影、清洗工序，重新形成新的光刻胶图形。
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