[发明专利]单色LED芯片及其形成方法无效
| 申请号： | 201010503760.6 | 申请日： | 2010-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102130242A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 张汝京;肖德元 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/20;H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种单色LED芯片以及形成单色LED芯片的方法，单色LED芯片包括：衬底，位于所述衬底上的缓冲层，位于所述缓冲层上的有源层，位于所述有源层上的帽层；用于与所述帽层电连接的正电极和用于与所述缓冲层电连接的负电极，还包括：多个沟槽，所述沟槽至少自帽层延伸至缓冲层的顶部，所述沟槽内填充有透明材料；所述多个沟槽间的缓冲层、有源层、帽层组成的叠层结构分别构成LED发光区域；所述正电极位于各LED发光区域的帽层上。这样可以使有源层受激发射在帽层和缓冲层之间的光可以入射至填充有透明材料的沟槽内，并在沟槽内经反射后透射，从而可以提高LED芯片的发光强度，有效发光面积。而且，通过正电极、负电极与控制电路的连接方式，可以控制哪个发光区域发光。 | ||
| 搜索关键词： | 单色 led 芯片 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种单色LED芯片，包括：衬底，位于所述衬底上的缓冲层，位于所述缓冲层上的有源层，位于所述有源层上的帽层；用于与所述帽层电连接的正电极和用于与所述缓冲层电连接的负电极，其特征在于，还包括：多个沟槽，所述沟槽至少自帽层延伸至缓冲层的顶部，所述沟槽内填充有透明材料；所述多个沟槽间的缓冲层、有源层、帽层组成的叠层结构分别构成LED发光区域；所述正电极位于各LED发光区域的帽层上。
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