[发明专利]硅基自锐式AFM探针的制备方法有效
| 申请号： | 201010503888.2 | 申请日： | 2010-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102012439A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 李加东;吴东岷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | G01Q60/38 | 分类号： | G01Q60/38;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陈忠辉 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了微纳机械传感器领域中的一种硅基自锐式AFM探针的制备方法，采用顶层硅厚度等于AFM探针针尖高度与悬臂梁厚度之和的双抛双氧SOI片为制备原料，在制备原料的顶面对应AFM探针针尖的位置光刻设置一针尖掩膜，在针尖掩膜的保护下通过完全的湿法腐蚀使针尖自行锐化，直至针尖掩膜脱落、一次成型具有纳米级针尖的AFM探针。应用本发明的技术方案按步骤实施，真正实现了湿法腐蚀一次成型纳米级针尖的AFM探针制作，解决了探针针尖需氧化工艺锐化的问题，进一步降低了AFM探针的制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | afm 探针 制备 方法 | ||
【主权项】：
硅基自锐式AFM探针的制备方法，其特征在于：采用顶层硅厚度等于AFM探针针尖高度与悬臂梁厚度之和的双抛双氧SOI片为制备原料，在制备原料的顶面对应AFM探针针尖的位置光刻设置一针尖掩膜，在针尖掩膜的保护下通过完全的湿法腐蚀使针尖自行锐化，直至针尖掩膜脱落、一次成型具有纳米级针尖的AFM探针。
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