[发明专利]用于薄膜光伏材料硒化的自清洁大规模方法和熔炉系统有效
申请号: | 201010503991.7 | 申请日: | 2010-09-28 |
公开(公告)号: | CN102034896A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 罗伯特D·维廷 | 申请(专利权)人: | 思阳公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C23C16/52;C23C16/04;C23C16/28 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 李丙林;张英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供了用于薄膜光伏材料的硒化的自清洁大规模方法和熔炉系统。本发明的利用自清洁熔炉制造铜铟二硒化物半导体膜的方法包括将多个基板转移至熔炉中,熔炉包括处理区域和至少一个与处理区域可拆卸接合的端帽区域,将多个基板中的每一个相对于重力方向垂直定向而设置,用数字N限定多个基板,其中N大于5,每个基板具有铜和铟复合结构。该方法还包括将包括氢物质和硒化物物质以及载气的气态物质引入熔炉中并将热能转移入熔炉中,从而使温度从第一温度升高至第二温度,第二温度的范围为约350℃至约450℃,以在每个基板上至少开始由铜和铟复合结构形成铜铟二硒化物膜;使熔炉的处理区域的内部区域的残余硒化物物质分解。 | ||
搜索关键词: | 用于 薄膜 材料 清洁 大规模 方法 熔炉 系统 | ||
【主权项】:
一种利用自清洁熔炉制造铜铟二硒化物半导体膜的方法,包括:将多个基板转移至熔炉中,所述熔炉包括处理区域和至少一个与所述处理区域可拆卸接合的端帽区域,将所述多个基板中的每一个相对于重力方向垂直定向而设置,用数字N限定所述多个基板,其中N大于5,每一个基板具有铜和铟复合结构;将包括氢物质和硒化物物质以及载气的气态物质引入所述熔炉中,并将热能转移到所述熔炉中,以使温度从第一温度升高至第二温度,所述第二温度的范围是从约350℃至约450℃,从而在每一个所述基板上至少开始由铜和铟复合结构形成铜铟二硒化物膜;使所述熔炉的所述处理区域的内部区域的残余硒化物物质分解;在可在第三温度下操作的端帽区域的附近沉积元素硒物质;并且通过至少使所述处理区域的内部区域的残余硒化物物质分解而保持内部区域为基本上没有元素硒物质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的