[发明专利]可下拉电流IO电路

摘要

本发明公开了一种可下拉电流IO电路，包括一下拉电流功能模块。下拉电流功能模块包括温度补偿电流源、第一NMOS管、第二NMOS管、第三晶体管和开关模块。第二NMOS管和第一NMOS管组成镜像电路，温度补偿电流源提供一基准电流到第一NMOS管中、第二NMOS管取得一数倍于基准电流的镜像电流。第二NMOS管连接于第一电阻的第二端和地之间，并串接开关模块，通过一使能信号控制开关模块并控制下拉电流即第二NMOS管源漏电流的通断。通过一使能信号的反相信号控制第三晶体管，使第三晶体管在第二NMOS管的栅极及时充电从而保持第二NMOS管的栅极稳定，实现下拉电流的快速启动。本发明能缩短下拉电流的启动时间、提高下拉电流的精度。

主权项

一种可下拉电流IO电路，包括：第一电阻、对电源静电保护电路、对地静电保护电路和一下拉电流功能模块；所述第一电阻的第一端和焊盘相连接，所述第一电阻的第二端和芯片内部电路相连接；所述对电源静电保护电路连接在电源和所述第一电阻的第一端之间；所述对地静电保护电路连接于地和所述第一电阻的第一端之间；所述下拉电流功能模块连接于所述第一电阻的第二端和地之间；其特征在于：所述下拉电流功能模块包括温度补偿电流源、第一NMOS管、第二NMOS管、第三晶体管和开关模块；所述温度补偿电流源的输入端和基准电压相连接，在所述温度补偿电流源的输出端输出基准电流；所述第一NMOS管和所述第二NMOS管组成一镜像电路，所述第二NMOS管的沟道的宽度和长度比值为所述第一NMOS管的宽度和长度比值的数倍，所述第一NMOS管的栅极、所述第二NMOS管的栅极、所述第一NMOS管漏极和所述温度补偿电流源的输出端相连接，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的源漏电流为所述基准电流；所述第二NMOS管和所述开关模块串接于所述第一电阻的第二端和地之间；所述第二NMOS管和所述开关模块的第一种串接结构为所述第一电阻的第二端连接所述开关模块的第一端、所述开关模块的第二端连接所述第二NMOS管的漏极、所述第二NMOS管的源极连接地；所述第二NMOS管和所述开关模块的第二种串接结构为所述第一电阻的第二端连接所述第二NMOS管的漏极、所述第二NMOS管的源极连接所述开关模块的第一端、所述开关模块的第二端连接地；所述开关模块的第三端连接第一使能信号，通过所述第一使能信号控制所述开关模块的接通和断开，从而控制所述第二NMOS管的源漏电流的导通和关断，所述第二NMOS管的源漏电流为所述第一NMOS管的源漏电流的镜像电流，所述第二NMOS管的源漏电流为所述基准电流的数倍；所述第三晶体管的源极、漏极和所述第二NMOS管的栅极相连接，所述第三晶体管的栅极和第二使能信号相连；当所述第二NMOS管和所述开关模块间为第一种串接结构时，所述第三晶体管为NMOS管，所述第二使能信号为所述第一使能信号的反相信号；当所述第二NMOS管和所述开关模块间为第二种串接结构时，所述第三晶体管为PMOS管，所述第二使能信号和所述第一使能信号相同。