[发明专利]PIN二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201010504117.5 | 申请日： | 2010-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102446979A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 周正良;徐炯;刘冬华 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种PIN二极管，有圆片状N型阴极，圆片状N型阴极的中间部分上方生长有本征半导体，圆片状N型阴极的周边部分上方形成有圆环状N型外基区阴极，本征半导体远离N型阴极端的中央区域上方形成有圆片状P型阳极。本发明还公开了另一种PIN二极管，有圆环状N型阴极，圆环状N型阴极的中间部分上方生长有本征半导体，圆环状N型阴极的周边部分上方形成有圆环状N型外基区阴极，本征半导体远离N型阴极端的中央区域上方形成有圆片状P型阳极。本发明的PIN二极管，导通电阻低并且其制造工艺能兼容于BiCMOS工艺。本发明还公开了所述PIN二极管的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | pin 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种PIN二极管，包括基板、N型阴极、本征半导体、P型阳极、隔离区、N型外基区阴极，其特征在于，所述基板上方形成有圆片状N型阴极，圆片状N型阴极的中间部分上方生长有本征半导体，圆片状N型阴极的周边部分上方形成有与圆片状N型阴极同轴的圆环状N型外基区阴极，所述本征半导体靠近所述N型阴极端的周边同圆环状N型外基区阴极相贴，所述本征半导体远离N型阴极端的中央区域上方形成有与圆片状N型阴极同轴的圆片状P型阳极，所述本征半导体远离N型阴极端的周边及圆片状P型阳极周边同圆环状N型外基区阴极之间通过与圆片状N型阴极同轴的圆环状隔离区隔离。
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