[发明专利]发光二极管芯片固晶方法、固晶的发光二极管及芯片结构有效

专利信息
申请号: 201010504210.6 申请日: 2010-10-08
公开(公告)号: CN102104090A 公开(公告)日: 2011-06-22
发明(设计)人: 林修任;林建宪;郑佳申;陈効义 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/62
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;张燕华
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种发光二极管芯片固晶方法、固晶的发光二极管及芯片结构,发光二极管芯片的固晶方法,适于将发光二极管芯片固晶于一基体上。发光二极管芯片具有第一金属薄膜层。芯片结构包括有一芯片及一固晶材料层,固晶材料层设置于芯片的一侧面上。固晶方法包含形成第二金属薄膜层于基体表面;形成固晶材料层于第二金属薄膜层;置放发光二极管芯片于固晶材料层并使第一金属薄膜层与固晶材料层接触;以一液固反应温度加热固晶材料层一预固时间,以形成第一介金属层及第二介金属层;以及以一固固反应温度加热固晶材料层一固化时间,以进行固固反应。上述液固反应温度及固固反应温度均低于110℃,且固固反应后的第一、二介金属层的熔点高于200℃。
搜索关键词: 发光二极管 芯片 方法 结构
【主权项】:
一种发光二极管芯片的固晶方法,适于结合一发光二极管芯片及一基体,该发光二极管芯片具有一第一金属薄膜层,该固晶方法包含:形成一第二金属薄膜层于该基体的一表面;形成一固晶材料层于该第二金属薄膜层,该固晶材料层的一熔点低于摄氏110度;置放该发光二极管芯片于该固晶材料层上,使该第一金属薄膜层接触该固晶材料层;以一液固反应温度加热该固晶材料层一预固时间,以于该第一金属薄膜层及该固晶材料层之间形成一第一介金属层,并于该固晶材料层及该第二金薄膜层之间形成一第二介金属层;以及以一固固反应温度加热该固晶材料层一固化时间,以进行一固固反应,该固固反应后的该第一介金属层及该第二介金属层的一熔点高于200度。
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