[发明专利]一种制备同质外延衬底的方法有效
| 申请号： | 201010504222.9 | 申请日： | 2010-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102005370A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 于彤军;方浩;陶岳彬;李兴斌;陈志忠;杨志坚;张国义 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种新的制备同质外延衬底的方法，属于制备高效、大功率氮化镓基发光二极管（LED）和蓝光激光器（LD）等光电子学器件技术领域。本发明首先将氮化镓同质自支撑衬底刻蚀分割为若干个独立的部分；在上述分割后的同质自支撑衬底上，用金属有机物化学气相沉积法、分子束外延或氢化物气相外延法进行再次外延，将分立化的衬底横向连接，再次形成完整氮化镓同质自支撑衬底。采用本发明制备出的同质外延衬底可有效的防止形变对光电子学和电子学器件的性能影响，提高同质外延生成LED、LD和高电子迁移率器件（HEMT）等产品的质量和成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 同质 外延 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种制备氮化镓同质外延衬底的方法，其步骤包括：1)将氮化镓同质自支撑衬底刻蚀分割为若干个独立的部分；2)在上述分割后的同质自支撑衬底上，用金属有机物化学气相沉积法、分子束外延或氢化物气相外延法进行再次外延，将分立化的衬底横向连接，再次形成完整氮化镓同质自支撑衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
