[发明专利]场效应晶体管无效
| 申请号： | 201010504353.7 | 申请日： | 2006-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101976686A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | 宫本广信;安藤裕二;冈本康宏;中山达峰;井上隆;大田一树;分岛彰男;笠原健资;村濑康裕;松永高治;山之口胜己;岛胁秀德 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/812 | 分类号： | H01L29/812;H01L29/40 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种场效应晶体管。所述场效应晶体管在高压操作以及高频特性方面表现出良好性能。在包括第一场极板电极(116)和第二场极板电极(118)的场效应晶体管(100)中，第二场极板电极(118)包括屏蔽部分(119)，其位于第一场极板电极(116)和漏电极(114)之间的区域中，并用于将第一场极板电极(116)与漏电极(114)屏蔽开。具体地，在栅极长度方向上的截面图上，当将其中第二场极板电极(118)与包括第一场极板电极(116)和栅电极(113)的结构的上部交叠的交叠区域的在栅极长度方向上的长度指定为Lol，和将栅极长度指定为Lg时，满足表示为0≤Lol/Lg≤1的关系。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，包括：由III族氮化物半导体制成的层结构，其包括异质结；形成在由III族氮化物半导体制成的层结构上的源电极和漏电极，彼此隔开一间隔；栅电极，设置在源电极和漏电极之间；第一场极板，设置在栅电极和漏电极之间的区域中由III族氮化物半导体制成的层结构上方，并且与由III族氮化物半导体制成的层结构隔离开；和第二场极板，设置在由III族氮化物半导体制成的层结构上方，并且与由III族氮化物半导体制成的层结构和第一场极板隔离开，其中所述场效应晶体管还包括第一绝缘膜，该第一绝缘膜用于覆盖在栅电极和漏电极之间的区域中的以及在栅电极和源电极之间的区域中的由III族氮化物半导体制成的层结构的表面，所述栅电极形成在所述III族氮化物半导体制成的层结构上，其中第一场极板被偏置在与栅电极相同的电位，其中第二场极板被偏置在与源电极相同的电位，第二场极板包括屏蔽部分，其位于第一场极板和漏电极之间的区域中，并且用于将第一场极板与漏电极屏蔽开，和该屏蔽部分的上端位于第一场极板的上表面上方，由此，在栅极长度方向上的截面图中，当其中第二场极板与包括第一场极板和栅电极的结构的上部交叠的交叠区域的在栅极长度方向上的长度指定为Lol和栅极长度指定为Lg时，满足下面表示的关系：0＜Lol/Lg≤1。
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