[发明专利]制造具有光捕获特征的TCO衬底的工艺及其装置无效
| 申请号： | 201010504366.4 | 申请日： | 2010-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102044593A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 林于庭;黄士哲;徐文凯 | 申请（专利权）人： | 杜邦太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/04;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 中国香港新界白石角香港科学园*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 本发明描述一种制造具有光捕获特征的透明传导氧化物(TCO)衬底的新工艺及其装置。所述工艺包括：在衬底上形成金属层；使所述金属层退火，使得金属元素自聚集，从而形成多个岛状结构金属突起；以及在所述岛状结构金属突起和所述衬底上形成透明传导氧化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 有光 捕获 特征 tco 衬底 工艺 及其 装置 | ||
【主权项】：
一种制造具有光捕获特征的透明传导氧化物(TCO)衬底的工艺，其包括：在衬底上形成金属层；使所述金属层退火，使得所述金属层的金属元素自聚集，从而形成多个岛状结构金属突起；以及在所述岛状结构金属突起和所述衬底上形成透明传导氧化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
