[发明专利]利用MCVD法制作光纤预制体的方法无效
| 申请号： | 201010504753.8 | 申请日： | 2010-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102120684A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 孙义兴;张腊生;谭会良;许建国;廖郑洪;李炳惠;张华;李涛;陈曲;谢河彬 | 申请（专利权）人： | 成都亨通光通信有限公司 |
| 主分类号： | C03B37/014 | 分类号： | C03B37/014 |
| 代理公司： | 四川省成都市天策商标专利事务所 51213 | 代理人： | 杨刚 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及利用MCVD法制作光纤预制体的方法，其中光纤预制体的核心层基本不含羟基基团(氢离子浓度小于1ppb)，由该预制体制造的光纤在1340nm至1460nm波长范围内的光学损失小于0.33dB/km。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 mcvd 法制 光纤 预制 方法 | ||
【主权项】：
一种利用MCVD法制作光纤预制体的方法，该方法包括下述步骤：(1)通过在石英管内表面沉积含有SiO2和GeO2的粉尘，形成具有相对较低折射率的包覆层；以及(2)在包覆层上形成具有相对较高折射率的核心层，其中核心层的形成步骤包括：(a)基础核心层形成步骤，该步骤包括堆积步骤：对石英管进行加热使得石英管中的温度达到1000℃～1400℃，同时引入用于形成粉尘的反应气体和载体气体，然后在包覆层上堆积粉尘，从而产生粉尘；脱水步骤：加热石英管使石英管的温度达到600℃～1200℃，并将脱水气体引入石英管中，从而除去粉尘和管中所含的羟基和水蒸气；以及烧结步骤：加热粉尘沉积的石英管使石英管内的温度超过1700℃，从而烧结粉尘并使之玻璃化；以及(b)补充核心层形成步骤：通过至少重复一次(a)中的堆积步骤、脱水步骤以及烧结步骤从而形成至少一层补充的核心层。
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