[发明专利]具有负电子亲和势的分形石墨烯材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201010505469.2 | 申请日： | 2010-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN101966987A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 李葵阳 | 申请（专利权）人： | 重庆启越涌阳微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 谢殿武 |
| 地址： | 401332 重庆市沙*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有负电子亲和势的分形石墨烯材料及其制备方法和应用，该材料采用超高温化学气相沉积工艺制备，由沉积在衬底上的直立交错生长的单层和多层分形片状石墨烯构成，随着衬底温度的提高，石墨烯纳米片的晶体状态趋于直立生长，这直接决定了其电学性质的取向，片状石墨烯大曲率条状凸起结构的存在导致负电子亲和势的产生，并使局域场得到增强，所以该材料具有较强的场致电子发射能力和很高的结构稳定性，非常适合于制作场发射器件的阴极材料，在场发射显示、冷阴极电光源、Ｘ射线源、电子束焊接和冷阴极电子源器件等领域有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 负电子 亲和 石墨 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
具有负电子亲和势的分形石墨烯材料，其特征在于：所述材料由沉积在衬底上的直立交错生长的单层和多层分形片状石墨烯构成。
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