[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201010505640.X | 申请日： | 2010-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN102447040A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 胡必强;张超雄 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/60;H01L33/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管封装结构及其制造方法，其反射结构由绝缘层、金属层和透明层三层材料构成。如此，不但可以利用金属作为反射层起到增强反射效率的作用，而且可以避免用金属层直接接触发光二极管芯片而导致的不良电性问题。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：形成基板及在基板上形成电路结构；形成反射结构，该反射结构包括绝缘层、金属层和透明层，金属层位于绝缘层和透明层之间，反射结构内设有贯穿绝缘层、金属层和透明层的穿孔；将反射结构装设于基板上，其中绝缘层与基板相接；将发光二极管芯片固定于反射结构的穿孔内并电性连结于电路结构；形成封装层覆盖发光二极管芯片；以及切割基板形成多个发光二极管封装结构。
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