[发明专利]一种光伏半导体纳米晶及制备法和应用无效
| 申请号： | 201010505806.8 | 申请日： | 2010-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102011194A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 崔光磊;张中一;刘志宏;陈骁;张小影 | 申请（专利权）人： | 中国科学院青岛生物能源与过程研究所 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C01B19/00;H01L31/0264;H01S5/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 266101 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种Cu(In，Al)Se2类光伏半导体纳米晶及制备方法和应用，通过溶剂热法将Cu、In、Al、S和Se的元素源在有机溶剂中合成Cu(In，Al)Se2类纳米颗粒，再进行提纯精制而得到；该方法为：1)Cu、In、Al元素源置于有机溶剂中混合，于惰性气体保护下反应，得到溶液A；2)溶液A升温，加入S元素源和Se元素源中的一种或两种进行反应；调整In/Al比或/和S/Se比调节其带隙宽度，使材料的带隙宽度与太阳光的光谱匹配；3)加入苯分散后再加入醇沉淀，得到目标产物。本发明通过调整In/Al比或/和S/Se比，控制纳米颗粒的形状和尺寸来调节其带隙宽度，以使材料的带隙宽度更好地与太阳光的光谱匹配。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 纳米 制备 应用 | ||
【主权项】：
一种Cu(In，Al)Se2类光伏半导体纳米晶，通过溶剂热法将Cu、In、Al、S和Se的元素源在有机溶剂中合成Cu(In，Al)Se2类纳米颗粒，再进行提纯精制而得到；该方法为：1)Cu、In、Al元素源置于有机溶剂中混合，于惰性气体保护下反应，得到溶液A；2)溶液A升温，加入S元素源和Se元素源中的一种或两种进行反应；调整In/Al比或/和S/Se比调节其带隙宽度，使材料的带隙宽度与太阳光的光谱匹配；3)加入苯分散后再加入醇沉淀，得到目标产物Cu(In，Al)S2、Cu(In，Al)Se2或Cu(In，Al)(S，Se)2光伏半导体纳米晶。
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