[发明专利]一种半导体纳米圆环的制备方法

摘要

本发明公开了一种半导体纳米圆环的制备方法，该方法首先在半导体衬底上涂正性光刻胶，然后基于泊松衍射的原理，通过微米级直径的圆形掩膜版对光刻胶进行曝光，得到圆环形的光刻胶，再在圆环形光刻胶的保护下对衬底进行等离子体刻蚀，在衬底表面形成壁厚为纳米尺寸的圆环形结构。本发明采用微米尺寸的光刻设备和微米尺寸的圆形掩膜制备出纳米尺寸的圆环形结构，克服了对先进光刻技术的依赖，从而有效降低了圆环形纳米结构的制备成本。

主权项

一种半导体纳米圆环的制备方法，包括以下步骤：1)清洗半导体衬底并对衬底进行前烘；2)在衬底上旋涂正性光刻胶；3)在掩膜版的保护下对光刻胶进行曝光，其中掩膜版的图形区域为微米级直径的圆形；4)对曝光后的光刻胶进行显影操作，在衬底上形成圆环形的光刻胶，然后进行后烘；5)在圆环形光刻胶的保护下对衬底进行等离子体刻蚀；6)去胶清洗，在衬底表面形成壁厚为纳米尺寸的圆环形结构。