[发明专利]一种紫外雪崩光电二极管探测器及其制作方法

摘要

一种紫外雪崩光电二极管探测器，包括蓝宝石衬底，蓝宝石衬底的侧面附着AlN缓冲层，AlN缓冲层的外侧附着p型AlxGa1-xN层，蓝宝石衬底的底部为倾斜斜面，在p型AlxGa1-xN层靠近底部的一侧面附着i-Si雪崩区层，在i-Si雪崩区层的外侧面附着n-Si层，而其制作方法将Si材料和AlGaN材料结合起来，可实现既适于紫外探测又具有良好性能的半导体雪崩光电二极管APD，采用p型AlxGa1-xN层作为紫外光的吸收层，采用i-Si作为雪崩区，让p型AlxGa1-xN层中的光生电子在i-Si中发生雪崩，从而实现微弱紫外光的检测。

主权项

一种紫外雪崩光电二极管探测器，包括蓝宝石衬底(1)，其特征在于：蓝宝石衬底(1)的侧面附着AlN缓冲层(2)，AlN缓冲层(2)的外侧附着p型AlxGa1‑xN层(4)，x的范围为0～0.6，蓝宝石衬底(1)的底部为倾斜斜面，在p型AlxGa1‑xN层(4)靠近底部的一侧面附着i‑Si雪崩区层(5)，在i‑Si雪崩区层(5)的外侧面附着n‑Si层(6)，n‑Si层(6)外侧面附着n型欧姆电极(7)，而p型AlxGa1‑xN层(4)的靠近底部的另一侧面附着p型欧姆电极(3)，i‑Si雪崩区层(5)的高度和p型欧姆电极(3)的高度一致。