[发明专利]一种临界电压调降方法及程序化方法有效
| 申请号： | 201010506434.0 | 申请日： | 2010-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102054535A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 王立中;黄瑞鸿 | 申请（专利权）人： | 闪晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种临界电压调降方法及程序化方法，应用于一过度程序化场效晶体管式非易失性存储单元，该方法包含以下步骤：(a)分别施加一第一电压及一第二电压至该过度程序化场效晶体管式非易失性存储单元的控制栅极及基体；(b)在一预设时间内，施加一信号至该过度程序化场效晶体管式非易失性存储单元的漏极，以产生一有限临界电压减少量；其中，该第一电压及该第二电压的极性相反于该信号的极性。因此，储存材料中的电荷配置可以精确地控制在一特定电荷状态的小范围内，进而达到较高数字储存密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 临界 电压 方法 程序化 | ||
【主权项】：
一种临界电压调降方法，其特征在于，应用于一过度程序化的场效晶体管非易失性存储单元上，所述方法包含以下步骤：分别施加一第一电压及一第二电压至所述过度程序化FET NVM单元的控制栅极及基体；以及在一预设时间内，施加一信号至所述过度程序化FET NVM单元的漏极，以产生一有限临界电压减少量；其中，所述第一电压及所述第二电压的极性相反于所述信号的极性。
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