[发明专利]锗硅异质结双极晶体管

摘要

本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管，其集电区由形成于有源区中的离子注入区一加上形成于有源区两侧的场氧区底部的离子注入区二和离子注入区三组成。离子注入区三的宽度小于场氧区的宽度、且其第一侧和离子注入区一相连接、第二侧和赝埋层相连接；离子注入区二的宽度和场氧区的宽度相同并位于离子注入区三和赝埋层的底部并与离子注入区三和赝埋层形成连接。离子注入区三的掺杂浓度大于离子注入区一和离子注入区二的掺杂浓度、所述离子注入区三的结深小于离子注入区一和离子注入区二的结深。通过赝埋层顶部场氧区中的深孔接触引出集电区。本发明能提高器件的击穿电压、维持较高的特征频率，还能降低集电区的串联电阻和降低器件的饱和压降。

主权项

一种锗硅异质结双极晶体管，形成于P型硅衬底上，有源区由场氧区隔离，其特征在于，所述锗硅异质结双极晶体管包括：一集电区，由形成于所述有源区中的离子注入区一加上形成于所述有源区两侧的所述场氧区底部的离子注入区二和离子注入区三组成；所述离子注入区一、离子注入区二、离子注入区三都具有第一导电类型；所述离子注入区三位于所述离子注入区二的顶部并和所述离子注入区二形成连接，所述离子注入区三的宽度小于所述场氧区的宽度、所述离子注入区三的第一侧和所述离子注入区一相连接，所述离子注入区二的宽度和所述场氧区的宽度相同；所述离子注入区三的掺杂浓度大于所述离子注入区一和所述离子注入区二的掺杂浓度、所述离子注入区三的结深小于所述离子注入区一和所述离子注入区二的结深；一赝埋层，由形成于所述有源区两侧的场氧区底部的离子注入区四组成，所述离子注入区四具有第一导电类型；所述赝埋层在横向位置上和所述有源区相隔一横向距离、且所述赝埋层和所述离子注入区三的第二侧形成连接，所述赝埋层的掺杂浓度大于所述离子注入区三的掺杂浓度，所述N型赝埋层的结深小于所述离子注入区二的结深并位于所述离子注入区二的顶部、且和所述离子注入区二形成连接；通过在所述赝埋层顶部的场氧区形成的深孔接触引出所述集电区电极；一基区，由形成于所述硅衬底上的第二导电类型的锗硅外延层组成，包括一本征基区和一外基区，所述本征基区形成于所述有源区上部且和所述集电区形成接触，所述外基区形成于所述场氧区上部且用于形成基区电 极；一发射区，由形成于所述本征基区上部的第一导电类型多晶硅组成，和所述本征基区形成接触。