[发明专利]一种改进的NiO基电阻式随机存储器及其制备方法无效
| 申请号： | 201010508181.0 | 申请日： | 2010-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN102005536A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 顾晶晶;孙清清;王鹏飞;周鹏;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种改进的NiO基电阻式随机存储器及其制备方法。该存储器单元包括衬底和金属-绝缘体-金属结构，其顶电极为铜、铝等可用于互连工艺中的金属薄膜，阻变绝缘体为Al2O3/NiO/Al2O3三种介质的纳米叠层结构介质薄膜。本发明中的MIM结构，在直流电压连续扫描激励下，表现出稳定的双电阻态转变和记忆特性，与只采用NiO一种介质的单一介质层结构介质薄膜的电阻式随机存储器存储单元相比，存储窗口增大，阻值稳定性得到提高。在NiO材料电阻式随机存储器的实际应用中有良好前景。本发明还进一步提供了上述存储单元的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进 nio 电阻 随机 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种改进的NiO基电阻式随机存储器，其特征在于采用金属/绝缘体/金属结构，其中，金属为薄膜，作为上、下电极，绝缘体层采用Al2O3/NiO/Al2O3纳米叠层结构。
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