[发明专利]一种高强高导弥散强化铜合金及其制备方法无效
| 申请号： | 201010508439.7 | 申请日： | 2010-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN101956094A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 刘绍军;肖勇 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | C22C9/00 | 分类号： | C22C9/00;C22C1/05 |
| 代理公司： | 深圳市科吉华烽知识产权事务所 44248 | 代理人： | 胡吉科 |
| 地址： | 518055 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高强高导弥散强化铜合金，包括铜基、陶瓷弥散强化相和掺杂元素，其中陶瓷弥散强化相为占铜合金质量分数为0.1%～2%的ZrO2、Y2O3、MgO、Al2O3和TiB2中的一种或几种，掺杂元素占铜合金质量分数为0.1%～1%的Ni、Y、Ag、Ti、Zr和Hf中的一种或几种。本发明解决了铜与陶瓷的界面结合性能差而导致的陶瓷颗粒团聚的问题、陶瓷颗粒在烧结中出现的粗化问题以及电子在铜与陶瓷界面的散射而引起的材料导电性能下降问题，获得了更高的硬度和电导率的弥散强化铜合金。本发明还涉及了这种高强高导弥散强化铜合金的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高强 弥散 强化 铜合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高强高导弥散强化铜合金，包括铜基和陶瓷弥散强化相，其特征在于：所述高强高导弥散强化铜合金还包括掺杂元素，所述掺杂元素为Ni、Y、Ag、Ti、Zr和Hf中的一种或几种。
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