[发明专利]一种硫钒铜矿结构的多晶体材料及其应用无效
| 申请号： | 201010508505.0 | 申请日： | 2010-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN102031565A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 万松明;吕宪顺;苗凤秀;邓赞红;顾桂新;张庆礼;殷绍唐 | 申请（专利权）人： | 中国科学院安徽光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B28/02;H01L31/0264;H01L31/0368;H01L31/18 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230031 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种硫钒铜矿结构的多晶体材料及其应用。通过真空固相合成法可制备这类材料的多晶体粉体，通过脉冲激光沉积技术可制备这类材料的多晶体薄膜。这类半导体材料属于立方晶系， |
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| 搜索关键词： | 一种 铜矿 结构 多晶体 材料 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种硫钒铜矿结构的多晶体材料，其特征在于：其分子式为Cu3MX4，其中M＝V、Nb、Ta，X＝S、Se、Te。
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