[发明专利]半导体紫外探测传感器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201010508591.5 申请日: 2010-10-13
公开(公告)号: CN102110735A 公开(公告)日: 2011-06-29
发明(设计)人: 秦勇;白所;吴巍炜 申请(专利权)人: 兰州大学
主分类号: H01L31/09 分类号: H01L31/09;G01J1/42;H01L31/0224;H01L31/0203;H01L31/18
代理公司: 兰州振华专利代理有限责任公司 62102 代理人: 张晋
地址: 730000 *** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 发明公开一种用于紫外探测的半导体传感器及这种传感器的制备方法。本发明的半导体紫外探测传感器由基板、负载于基板上的电极和位于电极之间的并联集成的氧化锌纳米线,其中的电极为两个各呈梳齿状且相向布置的电极,其中一个电极的梳齿插入另一个电极的两个梳齿之间,形成齿插状,在相邻的两个梳齿上均并联集成着氧化锌纳米线。本发明的传感器光响应电流可达到毫安量级,使得紫外光的探测和其强度表征难度显著下降。
搜索关键词: 半导体 紫外 探测 传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
半导体紫外探测传感器,由基板、负载于基板上的电极和位于电极之间的并联集成的氧化锌纳米线构成,其特征是电极为两个各呈梳齿状且相向布置的电极,其中一个电极的梳齿插入另一个电极的两个梳齿之间,形成齿插状,在相邻的两个梳齿之间均并联集成着氧化锌纳米线。
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