[发明专利]半导体紫外探测传感器及其制备方法有效
申请号: | 201010508591.5 | 申请日: | 2010-10-13 |
公开(公告)号: | CN102110735A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 秦勇;白所;吴巍炜 | 申请(专利权)人: | 兰州大学 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;G01J1/42;H01L31/0224;H01L31/0203;H01L31/18 |
代理公司: | 兰州振华专利代理有限责任公司 62102 | 代理人: | 张晋 |
地址: | 730000 *** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | 本发明公开一种用于紫外探测的半导体传感器及这种传感器的制备方法。本发明的半导体紫外探测传感器由基板、负载于基板上的电极和位于电极之间的并联集成的氧化锌纳米线,其中的电极为两个各呈梳齿状且相向布置的电极,其中一个电极的梳齿插入另一个电极的两个梳齿之间,形成齿插状,在相邻的两个梳齿上均并联集成着氧化锌纳米线。本发明的传感器光响应电流可达到毫安量级,使得紫外光的探测和其强度表征难度显著下降。 | ||
搜索关键词: | 半导体 紫外 探测 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
半导体紫外探测传感器,由基板、负载于基板上的电极和位于电极之间的并联集成的氧化锌纳米线构成,其特征是电极为两个各呈梳齿状且相向布置的电极,其中一个电极的梳齿插入另一个电极的两个梳齿之间,形成齿插状,在相邻的两个梳齿之间均并联集成着氧化锌纳米线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的