[发明专利]MOS晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201010508947.5 | 申请日： | 2010-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102446764A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MOS晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；进行氧化工艺，形成覆盖所述栅极结构的氧化层；对栅极结构两侧的半导体衬底进行离子注入，形成源/漏延伸区、包围所述源/漏延伸区的袋状注入区、包围所述袋状注入区的缺陷吸附区；进行退火工艺，激活所述源/漏延伸区、缺陷吸附区、袋状注入区的掺杂离子；在所述栅极结构的两侧形成侧墙；以所述栅极结构和侧墙为掩膜，进行源/漏离子注入，在栅极结构两侧的半导体衬底内形成源/漏区。本发明改善了袋状注入区和源/漏延伸区的掺杂离子随着缺陷扩散，消除了氧化增强扩散效应，抑制了瞬态增强扩散效应，减少了器件漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；形成覆盖所述栅极结构的氧化层；在栅极结构两侧的半导体衬底中形成源/漏延伸区、包围所述源/漏延伸区的袋状注入区、包围所述袋状注入区的缺陷吸附区；进行退火工艺，激活所述源/漏延伸区、缺陷吸附区、袋状注入区的掺杂离子；在所述栅极结构的两侧形成侧墙；以所述栅极结构和侧墙为掩膜，进行源/漏离子注入，在栅极结构两侧的半导体衬底内形成源/漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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