[发明专利]一种通过预应变量控制CuAlMn低温记忆合金记忆回复率的方法无效
| 申请号： | 201010508970.4 | 申请日： | 2010-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN102002655A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 司乃潮;司松海;张志敏;刘光磊 | 申请（专利权）人： | 镇江忆诺唯记忆合金有限公司 |
| 主分类号： | C22F1/08 | 分类号： | C22F1/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212009 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种通过预应变量控制CuAlMn低温记忆合金记忆回复率的方法，属于记忆合金技术领域，其特征在于：选取预应变量ε分别为2％、4％、6％、8％、10％，将CuAlMn低温记忆合金按照设定的不同预应变量做成园状，然后进行记忆回复率测定。其结果是，随着预应变量的增加，预应变量大于2％以后，CuAlMn低温记忆合金双程记忆回复率提高。但是预变形量超过8％以后，双程记忆回复率有所下降。所以对于CuAlMn低温记忆合金，预应变量应在4％-8％范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 变量 控制 cualmn 低温 记忆 合金 回复 方法 | ||
【主权项】：
一种通过预应变量控制CuAlMn低温记忆合金记忆回复率的方法，其特征在于：选取预应变量ε分别为2％、4％、6％、8％、10％，将CuAlMn低温记忆合金按照设定的不同预应变量做成园状，然后进行记忆回复率测定；其结果是，随着预应变量的增加，预应变量大于2％以后，CuAlMn低温记忆合金双程记忆回复率提高；但是预变形量超过8％以后，双程记忆回复率有所下降；所以对于CuAlMn低温记忆合金，预应变量应在4％‑8％范围内。
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